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Welche Bedingungen sind erforderlich, damit sich der Transistor vollständig öffnet

Transistoren sind eines der Hauptelemente der modernen Elektronik und werden in einer Vielzahl von Geräten häufig verwendet. Sie spielen eine Schlüsselrolle bei der Verstärkung und Umschaltung von Signalen. Damit sich der Transistor jedoch vollständig öffnet, müssen eine Reihe von Bedingungen erfüllt sein, die seinen Betrieb und seine Wirksamkeit bestimmen.

Die erste und wichtigste Bedingung ist die korrekte Polarisation der Basis des Transistors. Dazu ist es notwendig, eine solche Spannung und einen Strom an die Basis anzulegen, damit sich der Transistor im Betriebsmodus befindet. Wenn eine positive Spannung an die Basis in Bezug auf den Emitter angelegt wird und eine Rückspannung an den Kollektor in Bezug auf den Emitter angelegt wird, erzeugt dies ein elektrisches Feld, das es den Elektronen ermöglicht, frei durch die Basis und den Kollektor zu fließen, was zu einer vollständigen Öffnung des Transistors führt.

Eine weitere wichtige Voraussetzung ist eine ausreichende Amplitude des Eingangssignals. Wenn die Amplitude des Eingangssignals zu niedrig ist, kann sich der Transistor nicht vollständig öffnen, was zu einer Verzerrung des Ausgangssignals führt. Es ist notwendig, ein ausreichend großes Signal zu liefern, um die Verluste auszugleichen, die innerhalb des Transistors auftreten.

Ein wichtiger Faktor ist auch das optimale Design und die Parameter des Transistors. Je nach Art und Zweck muss es unter Berücksichtigung der spezifischen Belastungen und der erforderlichen Eigenschaften entworfen werden. Zum Beispiel müssen Sie im Fall von Verstärkungstransistoren, um eine vollständige Öffnung zu erreichen, die Verstärkung und den Widerstand der Basis richtig auswählen.

Bedingungen für die Öffnung des Transistors

Damit sich der Transistor vollständig öffnet und beginnt, elektrischen Strom vom Kollektor zum Emitter zu leiten, müssen bestimmte Bedingungen erfüllt sein:

  • Die Basis des Transistors muss mit einer Stromquelle mit niedrigem Innenwiderstand verbunden sein, z. B. einer Spannungsquelle oder einer Stromquelle.
  • Die Spannung zwischen Basis und Emitter muss hoch genug sein, um eine potentielle Barriere zu überwinden und einen Stromfluss durch den Übergangsbereich zu verursachen.
  • Die Größe dieser Spannung wird als Basis-Emitter-Übergangsausbruchspannung (Vbe) bezeichnet und wird durch die Eigenschaften des Transistors bestimmt.
  • Es ist auch notwendig, dass die Spannung zwischen Kollektor und Emitter unter der maximalen Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (Vceo) liegt, um eine Beschädigung des Transistors zu vermeiden.
  • Um den Transistor vollständig zu öffnen, ist daher das richtige Verhältnis zwischen der Spannung an der Basis und dem Emitter sowie ein bestimmter Spannungswert an Kollektor und Emitter erforderlich.

Unter diesen Bedingungen wird der Transistor zu einer Art "Draht" zwischen Kollektor und Emitter, und der elektrische Strom fließt ohne erhebliche Einschränkungen durch ihn.

Elektrischer Schaltplan mit Eingangssignal

Damit sich der Transistor vollständig öffnen kann, müssen bestimmte Bedingungen in seinem Schaltplan mit dem Eingangssignal erfüllt sein.

Eine der Hauptbedingungen ist die Versorgung einer positiven Spannung an die Basis des Transistors. Dadurch wird sichergestellt, dass der Öffnungsprozess des Transistors beginnt und ein leitender Kanal zwischen Kollektor und Emitter erzeugt wird.

Die zweite wichtige Bedingung ist das Vorhandensein einer ausreichenden Potentialdifferenz zwischen dem Kollektor und dem Emitter des Transistors. Dies ermöglicht es der dritten Schicht (Basis), den Strom zwischen den anderen beiden Schichten zu steuern und die Position des Transistors im Betriebsmodus festzulegen.

Außerdem müssen der Lastwiderstand und das optimale Verhältnis zwischen Signal und Rauschen im Schaltplan berücksichtigt werden. Damit sich der Transistor vollständig öffnet, sollte der Lastwiderstand minimiert und ein ausreichend starkes Eingangssignal bereitgestellt werden, damit das Signal über das Rauschen herrscht.

Die Polarität der Stromversorgung für jedes Terminal

Damit sich der Transistor vollständig öffnet, ist es wichtig, ihn richtig an die Stromversorgung anzuschließen. Jedes Terminal des Transistors hat seine eigene Polarität, die beim Anschließen berücksichtigt werden muss.

Betrachten Sie die Verbindungsbedingungen für verschiedene Arten von Transistoren:

Transistor-TypEmitterGrundlageKollektor
NPNNegativPositivPositiv
PNPPositivNegativNegativ

Bei einem NPN-Transistor muss der Emitter mit dem negativen Kontakt der Stromquelle verbunden sein, die Basis mit dem positiven Kontakt über den Widerstand und der Kollektor mit dem positiven Kontakt der Last.

Bei einem PNP-Transistor muss der Emitter mit dem positiven Kontakt der Stromquelle verbunden sein, die Basis mit dem negativen Kontakt über den Widerstand und der Kollektor mit dem negativen Kontakt der Last.

Der korrekte Anschluss der Stromversorgung an jedes Terminal des Transistors ermöglicht es ihm, im richtigen Modus zu arbeiten und sich vollständig zu öffnen, wenn ein entsprechendes Signal an der Basis vorhanden ist.

Erforderliche Spannung an der Basis

Abhängig vom Typ des Transistors (p-n-p oder n-p-n) und seinen spezifischen Eigenschaften gibt es unterschiedliche Werte für die erforderliche Basisspannung, um den Transistor vollständig zu öffnen. Normalerweise wird dieser Wert in den Spezifikationen des Transistors angegeben und hängt von seinem Typ und der Last ab, die er steuern muss.

Im Allgemeinen muss die Spannung an ihrer Basis jedoch über einem bestimmten Schwellenwert liegen, der als Offsetspannung oder Schwellenspannung bezeichnet wird, um den Transistor vollständig zu öffnen. Wenn die Basisspannung unter diesem Wert liegt, befindet sich der Transistor im geschlossenen Zustand.

Um eine vollständige Öffnung des Transistors zu gewährleisten, muss daher der erforderliche Spannungspegel an der Basis berücksichtigt und die entsprechenden Werte für Schaltungselemente wie Widerstände und Stromquellen ausgewählt werden. Dadurch wird sichergestellt, dass der Transistor ordnungsgemäß funktioniert und die erforderlichen Parameter des Geräts erreicht wird, in dem er verwendet wird.

Transistor-TypErforderliche Basisspannung für eine vollständige Öffnung (Offsetspannung)
p-n-p-0,6 V bis -0,7 V
n-p-nvon 0.6V bis 0.7V

Stromverstärkung

Damit sich der Transistor vollständig öffnet, ist es notwendig, dass die Stromverstärkung ausreichend groß ist. Es kann als das Verhältnis der Änderung des Kollektorstroms ΔIC zur Änderung des Grundstroms ΔIB definiert werden.

Im Idealfall, wenn der Transistor vollständig geöffnet ist, sollte die Stromverstärkung unendlich sein. Unter realen Bedingungen ist die Stromverstärkung jedoch durch verschiedene physikalische Faktoren wie den Signalpegel, die Temperatur und das Design des Transistors begrenzt.

Der Wert der Stromverstärkung ist ein wichtiger Parameter bei der Auswahl eines Transistors für eine bestimmte Verstärkervorrichtung. Je höher der β-Wert ist, desto stärker wird der Strom und desto effizienter wird das Gerät arbeiten.

Wert der Grenzspannung am Kollektor

Wenn der Vce den Grenzwert überschreitet, kann der Transistor einen großen Strom durch den Kollektor-Emitter-Übergang leiten, was zu Überhitzung und Zerstörung des Geräts führen kann. Daher ist es wichtig, diesen Wert bei der Entwicklung von Schaltungen und bei der Auswahl des Betriebsmodus des Transistors zu berücksichtigen.

Der Wert der Grenzspannung am Kollektor hängt vom Typ des Transistors und seinen spezifischen Eigenschaften ab. Es wird normalerweise in der technischen Dokumentation des Herstellers angegeben. Bei Bipolartransistoren (BJTs) kann dies Werte von mehreren Volt bis zu mehreren hundert Volt sein.

Wenn die Grenzspannung am Kollektor überschritten wird, kann dies den Kollektor-Emitter-Übergang unterbrechen, wodurch der Transistor ausfällt und die Schaltung, in der er verwendet wird, nicht ordnungsgemäß funktioniert.

Um einen zuverlässigen Betrieb des Transistors zu gewährleisten und eine Beschädigung des Übergangs zu vermeiden, ist es wichtig, eine Kollektorspannung zu verwenden, die den in der technischen Dokumentation angegebenen Grenzwert nicht überschreitet.

Transistor-TypGrenzspannung am Kollektor, Vce
PNP bipolarer Transistor-30 bis -250 V
NPN bipolarer Transistor30 bis 250 V
Leistungsstarker bipolarer Transistor30 bis 1000 V